高低溫探針臺(tái)T8-LY100能夠?yàn)榘雽?dǎo)體芯片的電學(xué)參數(shù)測(cè)試提供一個(gè)80K-420K高低溫測(cè)試環(huán)境，通過(guò)外接不同的電學(xué)測(cè)量?jī)x器，可完成集成電路的電壓、電流、電阻以及IV曲線等參數(shù)檢測(cè)，用于低溫環(huán)境下的芯片、晶圓和器件的非破壞性電學(xué)測(cè)試。

技術(shù)參數(shù)：

1、真空腔體約直徑260mm，

2、帶有4英寸高透射觀察窗，材質(zhì)熔融石英

3、樣品載臺(tái)直徑：50mm 樣品載臺(tái)平整度<5微米

4、溫度范圍：80K-420K，控溫儀精度：0.1-0.5K

5、X-Y-Z行程范圍：±25mm*±25mm*0-12.5mm線性運(yùn)動(dòng)，位移精度：1um

6、預(yù)留光纖接入口做光響應(yīng)測(cè)試

7、預(yù)留四個(gè)探針座的接口

8、探針長(zhǎng)度38mm，直徑0.5mm，針尖直徑1um

9、兩套CCD相機(jī)（能看清1-2um）

10、耦合一套四軸應(yīng)變裝置（定制）

11、三同軸射頻接口：4只，外接三同軸連接線雙向公頭，長(zhǎng)度 2米

13、真空抽口KF50

14、重量：75kg