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為什么有些半導體器件的生產(chǎn)工序要在真空中進行

更新時間:2023-05-29 點擊量:531

工藝設(shè)備腔體內(nèi)的真空度是一方面要滿足輝光放電的起輝條件,另一方面避免粒子碰撞過多導致動量損失。等離子體化學氣相沉積、磁控濺射、干法刻蝕等工藝設(shè)備,都是先給個電壓讓腔體內(nèi)反應(yīng)氣體離化,形成腔體內(nèi)等離子體通路和外部電極的電流回路。如果氣壓過低也就是粒子太少,內(nèi)部電流通路就無法形成,無法輝光自持。如果氣壓過高,等離子體在向樣品表面移動過程中粒子碰撞,發(fā)生動量的方向發(fā)散和大小損失,也能影響起輝(撞不開了),對干刻速率等工藝效果有影響。

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