半導(dǎo)體材料的霍爾效應(yīng)是表征和分析半導(dǎo)體材料的重要手段,可根據(jù)霍爾系數(shù)的符號判斷材料的導(dǎo)電類型?;魻栃?yīng)本質(zhì)上是運(yùn)動的帶電粒子在磁場中受洛侖茲力作用引起的偏轉(zhuǎn),當(dāng)帶電粒子(電子或空穴)被約束在固體材料中,這種偏轉(zhuǎn)就導(dǎo)致在垂直于電流和磁場的方向上產(chǎn)生正負(fù)電荷的聚積,形成附加的橫向電場。
根據(jù)霍爾系數(shù)及其與溫度的關(guān)系可以計算載流子的濃度,以及載流子濃度同溫度的關(guān)系,由此可以確定材料的禁帶寬度和雜質(zhì)電離能;通過霍爾系數(shù)和電阻率的聯(lián)合測量能夠確定載流子的遷移率,用微分霍爾效應(yīng)法可測縱向載流子濃度分布;測量低溫霍爾效應(yīng)可以確定雜質(zhì)補(bǔ)償度。與其他測試不同的是霍爾參數(shù)測試中測試點(diǎn)多、連接繁瑣,計算量大,需外加溫度和磁場環(huán)境等特點(diǎn)。
錦正茂霍爾效應(yīng)測試儀,是用于測量半導(dǎo)體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)等重要參數(shù),而這些參數(shù)是了解半導(dǎo)體材料電學(xué)特性必須預(yù)先掌控的,因此是理解和研究半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體材料電學(xué)特性必*的工具。
該儀器為性能穩(wěn)定、功能強(qiáng)大、性價比高的霍爾效應(yīng)儀,在國內(nèi)高校、研究所及半導(dǎo)體業(yè)界擁有廣泛的用戶和知*度。儀器輕巧方便,易于攜帶,主要用于量測電子材料之重要特性參數(shù),如載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)等,薄膜或固體材料均可。
可測試材料:
半導(dǎo)體材料:SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和鐵氧體材料,低阻抗材料:石墨烯、金屬、透明氧化物、弱磁性半導(dǎo)體材料、TMR 材料,高阻抗材料:半絕緣的 GaAs, GaN, CdTe 等
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